STP42N65M5 Todos los transistores

 

STP42N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP42N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP42N65M5 datasheet

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 stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf pdf_icon

STP42N65M5

STx42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFET in I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 3 2 1 STB42N65M5 710 V

 9.1. Size:187K  samhop
 stb423s stp423s.pdf pdf_icon

STP42N65M5

Green Product S T B / P 4 2 3 S S amHop Microelectronics C orp. Feb.26,2007 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S 4 R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID S uper high dense cell design for extremely low R DS (ON) . 9.5 @ VG S = -10V High power and current handling capability. - 40V - 65A TO-220 & TO-263 package. 12.5 @ VG S

Otros transistores... STP3NK60ZFP , STP3NK80Z , STP3NK90Z , STP40NF03L , STP40NF10 , STP40NF10L , STP40NF12 , STP40NF20 , 12N60 , STP45NF06 , STP45NF3LL , STP4N150 , STP4N20 , STP4N52K3 , STP4N62K3 , STP4NK50Z , STP4NK50ZD .

 

 
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