STP42N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP42N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.079 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP42N65M5
STP42N65M5 Datasheet (PDF)
1.1. stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf 
Size:1097K _st
STx42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 ?, 33 A MDmesh V Power MOSFET in I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 3 2 1 STB42N65M5 710 V < 0.079 ? 33 A 2 1 1 STF42N65M5 710 V < 0.079 ? 33 A (1) TO-220 D?PAK TO-220FP STI42N65M5 710 V < 0.079 ? 33 A STP42N65M5 710 V < 0.079 ? 33 A STW42N65M5 710 V < 0.079 ? 33 A 1. Limited only by maxim
5.1. stb423s stp423s.pdf Size:187K _samhop
Green Product S T B / P 4 2 3 S S amHop Microelectronics C orp. Feb.26,2007 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S 4 R DS (ON) ( m Ω ) Max ı VDS S ID S uper high dense cell design for extremely low R DS (ON) . 9.5 @ VG S = -10V High power and current handling capability. - 40V - 65A TO-220 & TO-263 package. 12.5 @ VG S
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
