STP52N25M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP52N25M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de STP52N25M5 MOSFET
STP52N25M5 Datasheet (PDF)
stp52n25m5.pdf
STP52N25M5N-channel 250 V, 0.055 , 28 A, TO-220MDmeshTM V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP52N25M5 250 V
Otros transistores... STP4NK50Z , STP4NK50ZD , STP4NK50ZFP , STP4NK60Z , STP4NK60ZFP , STP4NK80Z , STP4NK80ZFP , STP50NF25 , STF13NM60N , STP55NF06 , STP55NF06L , STP5N52K3 , STP5N62K3 , STP5N95K3 , STP5NK100Z , STP5NK50Z , STP5NK52ZD .
History: P6006BD | SVF12N60CF | RFP12N10L | 2SK1723 | SPA17N80C3 | BRD4N65S | STD9HN65M2
History: P6006BD | SVF12N60CF | RFP12N10L | 2SK1723 | SPA17N80C3 | BRD4N65S | STD9HN65M2
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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