STP52N25M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP52N25M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP52N25M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP52N25M5 даташит

 ..1. Size:474K  st
 stp52n25m5.pdf pdf_icon

STP52N25M5

STP52N25M5 N-channel 250 V, 0.055 , 28 A, TO-220 MDmeshTM V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP52N25M5 250 V

Другие IGBT... STP4NK50Z, STP4NK50ZD, STP4NK50ZFP, STP4NK60Z, STP4NK60ZFP, STP4NK80Z, STP4NK80ZFP, STP50NF25, IRFP250, STP55NF06, STP55NF06L, STP5N52K3, STP5N62K3, STP5N95K3, STP5NK100Z, STP5NK50Z, STP5NK52ZD