STP80NF10 Todos los transistores

 

STP80NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP80NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP80NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  st
 stb80nf10 stp80nf10.pdf pdf_icon

STP80NF10

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

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STP80NF10

STP80NF10FPN-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID(1)STP80NF10FP 100V

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STP80NF10

STP80NF10STP80NF10FPN-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-220/TO-220FPLOW GATE CHARGE STripFETII POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF10 100 V

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STP80NF10

STP80NF12N-channel 120 V, 0.013 , 80 A, TO-220STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF12 120 V

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History: 2SK991 | SIHP11N80E | WCM2068 | 4N80 | IPI80N06S4-07 | FMH11N90E

 

 
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