STP80NF10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP80NF10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP80NF10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80NF10 даташит

 ..1. Size:579K  st
 stb80nf10 stp80nf10.pdf pdf_icon

STP80NF10

STB80NF10 STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF10 100 V

 0.1. Size:232K  st
 stp80nf10fp.pdf pdf_icon

STP80NF10

STP80NF10FP N-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID(1) STP80NF10FP 100V

 0.2. Size:334K  st
 stp80nf10-fp.pdf pdf_icon

STP80NF10

STP80NF10 STP80NF10FP N-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF10 100 V

 6.1. Size:267K  st
 stp80nf12.pdf pdf_icon

STP80NF10

STP80NF12 N-channel 120 V, 0.013 , 80 A, TO-220 STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF12 120 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP7NK40Z, STP7NK80Z, STP7NK80ZFP, STP7NM60N, STP7NM80, STP80N20M5, STP80N70F4, STP80NF06, IRFB4110, STP80NF10FP, STP80NF12, STP80NF55-06, STP80NF55-08, STP80NF55L-06, STP80NS04ZB, STP80PF55, STP85N15F4