Справочник MOSFET. STP80NF10

 

STP80NF10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP80NF10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP80NF10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  st
 stb80nf10 stp80nf10.pdf pdf_icon

STP80NF10

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

 0.1. Size:232K  st
 stp80nf10fp.pdf pdf_icon

STP80NF10

STP80NF10FPN-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID(1)STP80NF10FP 100V

 0.2. Size:334K  st
 stp80nf10-fp.pdf pdf_icon

STP80NF10

STP80NF10STP80NF10FPN-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-220/TO-220FPLOW GATE CHARGE STripFETII POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF10 100 V

 6.1. Size:267K  st
 stp80nf12.pdf pdf_icon

STP80NF10

STP80NF12N-channel 120 V, 0.013 , 80 A, TO-220STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF12 120 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP7NK40Z , STP7NK80Z , STP7NK80ZFP , STP7NM60N , STP7NM80 , STP80N20M5 , STP80N70F4 , STP80NF06 , IRF640N , STP80NF10FP , STP80NF12 , STP80NF55-06 , STP80NF55-08 , STP80NF55L-06 , STP80NS04ZB , STP80PF55 , STP85N15F4 .

History: KU054N03D | SIHP11N80E | WCM2068 | 4N80 | IPI80N06S4-07 | ZXMC3A16DN8 | IPN70R360P7S

 

 
Back to Top

 


 
.