STP80NF12 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP80NF12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP80NF12 datasheet

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STP80NF12

STP80NF12 N-channel 120 V, 0.013 , 80 A, TO-220 STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF12 120 V

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
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STP80NF12

isc N-Channel MOSFET Transistor STP80NF12 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 120V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 18m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. A

 6.1. Size:232K  st
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STP80NF12

STP80NF10FP N-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID(1) STP80NF10FP 100V

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STP80NF12

STB80NF10 STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF10 100 V

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