STP80NF12 Todos los transistores

 

STP80NF12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP80NF12
   Código: P80NF12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 140 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP80NF12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  st
 stp80nf12.pdf pdf_icon

STP80NF12

STP80NF12N-channel 120 V, 0.013 , 80 A, TO-220STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF12 120 V

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 stp80nf12.pdf pdf_icon

STP80NF12

isc N-Channel MOSFET Transistor STP80NF12FEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 120V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 18m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

 6.1. Size:232K  st
 stp80nf10fp.pdf pdf_icon

STP80NF12

STP80NF10FPN-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID(1)STP80NF10FP 100V

 6.2. Size:579K  st
 stb80nf10 stp80nf10.pdf pdf_icon

STP80NF12

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

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History: PJD7NA60 | 2SK3322-ZJ | 4N80L-TF3-T | FDP79N15 | AP40U03GH | AP25P15GI | NCEP60T20

 

 
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