STP80NF12 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STP80NF12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STP80NF12
   Маркировка: P80NF12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 140 nC
   trⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP80NF12

STP80NF12 Datasheet (PDF)

..1. Size:267K st
stp80nf12.pdf

STP80NF12

STP80NF12N-channel 120 V, 0.013 , 80 A, TO-220STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF12 120 V

..2. Size:261K inchange semiconductor
stp80nf12.pdf

STP80NF12

isc N-Channel MOSFET Transistor STP80NF12FEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 120V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 18m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

6.1. Size:232K st
stp80nf10fp.pdf

STP80NF12