STQ2NK60ZR-AP Todos los transistores

 

STQ2NK60ZR-AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STQ2NK60ZR-AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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STQ2NK60ZR-AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  st
 stq2nk60zr-ap stp2nk60z stf2nk60z std2nk60z-1.pdf pdf_icon

STQ2NK60ZR-AP

STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-APSTP2NK60Z - STD2NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 7.2 - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAKZener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTF2NK60Z 600 V

Otros transistores... STP9NK65ZFP , STP9NK70Z , STP9NK70ZFP , STP9NK90Z , STP9NM60N , STQ1HNK60R , STQ1NK60ZR , STQ2HNK60ZR-AP , 2N7002 , STQ3N45K3-AP , STS10DN3LH5 , STS10N3LH5 , STS11N3LLH5 , STS11NF30L , STS12N3LLH5 , STS12NF30L , STS13N3LLH5 .

History: SWF9N50D | STP9NM60N | STH400N4F6-6 | DH100P70I | TPCA8056-H | SSP65R360S2E | NTMFS6B05N

 

 
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