STQ2NK60ZR-AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STQ2NK60ZR-AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO92

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STQ2NK60ZR-AP datasheet

 ..1. Size:542K  st
 stq2nk60zr-ap stp2nk60z stf2nk60z std2nk60z-1.pdf pdf_icon

STQ2NK60ZR-AP

STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-AP STP2NK60Z - STD2NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 7.2 - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STF2NK60Z 600 V

Otros transistores... STP9NK65ZFP, STP9NK70Z, STP9NK70ZFP, STP9NK90Z, STP9NM60N, STQ1HNK60R, STQ1NK60ZR, STQ2HNK60ZR-AP, AON7506, STQ3N45K3-AP, STS10DN3LH5, STS10N3LH5, STS11N3LLH5, STS11NF30L, STS12N3LLH5, STS12NF30L, STS13N3LLH5