Справочник MOSFET. STQ2NK60ZR-AP

 

STQ2NK60ZR-AP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STQ2NK60ZR-AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для STQ2NK60ZR-AP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STQ2NK60ZR-AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  st
 stq2nk60zr-ap stp2nk60z stf2nk60z std2nk60z-1.pdf pdf_icon

STQ2NK60ZR-AP

STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-APSTP2NK60Z - STD2NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 7.2 - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAKZener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTF2NK60Z 600 V

Другие MOSFET... STP9NK65ZFP , STP9NK70Z , STP9NK70ZFP , STP9NK90Z , STP9NM60N , STQ1HNK60R , STQ1NK60ZR , STQ2HNK60ZR-AP , IRFP250 , STQ3N45K3-AP , STS10DN3LH5 , STS10N3LH5 , STS11N3LLH5 , STS11NF30L , STS12N3LLH5 , STS12NF30L , STS13N3LLH5 .

History: AP3N4R0H | NCE60N2K1R | SE20075

 

 
Back to Top

 


 
.