STQ2NK60ZR-AP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STQ2NK60ZR-AP
Маркировка: Q2NK60ZR-AP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.7 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 27 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8 Ohm
Тип корпуса: TO92
Аналог (замена) для STQ2NK60ZR-AP
STQ2NK60ZR-AP Datasheet (PDF)
..1. Size:542K st
stq2nk60zr-ap stp2nk60z stf2nk60z std2nk60z-1.pdf
stq2nk60zr-ap stp2nk60z stf2nk60z std2nk60z-1.pdf
STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-APSTP2NK60Z - STD2NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 7.2 - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAKZener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTF2NK60Z 600 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
