STQ2NK60ZR-AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STQ2NK60ZR-AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для STQ2NK60ZR-AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STQ2NK60ZR-AP даташит

 ..1. Size:542K  st
 stq2nk60zr-ap stp2nk60z stf2nk60z std2nk60z-1.pdf pdf_icon

STQ2NK60ZR-AP

STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-AP STP2NK60Z - STD2NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 7.2 - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STF2NK60Z 600 V

Другие IGBT... STP9NK65ZFP, STP9NK70Z, STP9NK70ZFP, STP9NK90Z, STP9NM60N, STQ1HNK60R, STQ1NK60ZR, STQ2HNK60ZR-AP, AON7506, STQ3N45K3-AP, STS10DN3LH5, STS10N3LH5, STS11N3LLH5, STS11NF30L, STS12N3LLH5, STS12NF30L, STS13N3LLH5