STS11N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS11N3LLH5
Código: 11D3L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS11N3LLH5
STS11N3LLH5 Datasheet (PDF)
sts11n3llh5.pdf
STS11N3LLH5N-channel 30 V, 0.012 , 11 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS11N3LLH5 30 V
sts11nf30l.pdf
STS11NF30LN-channel 30V - 0.0085 - 11A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS11NF30L 30V
sts11nf3ll.pdf
STS11NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 - 11A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS11NF3LL 30 V
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Liste
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