STS11N3LLH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS11N3LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS11N3LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS11N3LLH5 даташит

 ..1. Size:727K  st
 sts11n3llh5.pdf pdf_icon

STS11N3LLH5

STS11N3LLH5 N-channel 30 V, 0.012 , 11 A, SO-8 STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS11N3LLH5 30 V

 8.1. Size:339K  st
 sts11nf30l.pdf pdf_icon

STS11N3LLH5

STS11NF30L N-channel 30V - 0.0085 - 11A SO-8 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS11NF30L 30V

 8.2. Size:271K  st
 sts11nf3ll.pdf pdf_icon

STS11N3LLH5

STS11NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.008 - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS11NF3LL 30 V

Другие IGBT... STP9NM60N, STQ1HNK60R, STQ1NK60ZR, STQ2HNK60ZR-AP, STQ2NK60ZR-AP, STQ3N45K3-AP, STS10DN3LH5, STS10N3LH5, AO4407, STS11NF30L, STS12N3LLH5, STS12NF30L, STS13N3LLH5, STS14N3LLH5, STS19N3LLH6, STS1DN45K3, STS1DNC45