Справочник MOSFET. STS11N3LLH5

 

STS11N3LLH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS11N3LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS11N3LLH5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS11N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  st
sts11n3llh5.pdfpdf_icon

STS11N3LLH5

STS11N3LLH5N-channel 30 V, 0.012 , 11 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS11N3LLH5 30 V

 8.1. Size:339K  st
sts11nf30l.pdfpdf_icon

STS11N3LLH5

STS11NF30LN-channel 30V - 0.0085 - 11A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS11NF30L 30V

 8.2. Size:271K  st
sts11nf3ll.pdfpdf_icon

STS11N3LLH5

STS11NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 - 11A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS11NF3LL 30 V

Другие MOSFET... STP9NM60N , STQ1HNK60R , STQ1NK60ZR , STQ2HNK60ZR-AP , STQ2NK60ZR-AP , STQ3N45K3-AP , STS10DN3LH5 , STS10N3LH5 , P60NF06 , STS11NF30L , STS12N3LLH5 , STS12NF30L , STS13N3LLH5 , STS14N3LLH5 , STS19N3LLH6 , STS1DN45K3 , STS1DNC45 .

History: AP3407S | BRFL70R360C | P1006BTFS | FTK4703 | STT3P2UH7 | STM8501

 

 
Back to Top

 


 
.