STS11N3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STS11N3LLH5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для STS11N3LLH5
STS11N3LLH5 Datasheet (PDF)
sts11n3llh5.pdf
STS11N3LLH5N-channel 30 V, 0.012 , 11 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS11N3LLH5 30 V
sts11nf30l.pdf
STS11NF30LN-channel 30V - 0.0085 - 11A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS11NF30L 30V
sts11nf3ll.pdf
STS11NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 - 11A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS11NF3LL 30 V
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: NTMFS5C442N
History: NTMFS5C442N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918