STS11NF30L Todos los transistores

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STS11NF30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS11NF30L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 18 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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STS11NF30L Datasheet (PDF)

1.1. sts11nf30l.pdf Size:339K _st

STS11NF30L
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STS11NF30L N-channel 30V - 0.0085? - 11A SO-8 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS11NF30L 30V <0.009? 11A Optimal RDS(on) x Qg trade-off Conduction losses reduced S0-8 Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size" strip-based process. The resulting transistor shows extrem

2.1. sts11nf3ll.pdf Size:271K _st

STS11NF30L
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STS11NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.008? - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS11NF3LL 30 V < 0.011 ? 11 A TYPICAL RDS(on) = 0.011? @ 4.5V OPTIMAL RDS(on) Qg TRADE-OFF @4.5V CONDUCTION LOSSES REDUCED SWITCHING LOSSES REDUCED SO-8 DESCRIPTION This application specific Power MOSFET is the third genaration of STMicroelectronics unique Single Feature

4.1. sts11n3llh5.pdf Size:727K _st

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STS11N3LLH5 N-channel 30 V, 0.012 ?, 11 A, SO-8 STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS11N3LLH5 30 V < 0.014 ? 11 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark SO-8 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power losses Application Figure 1. Internal

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