STS11NF30L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STS11NF30L
Маркировка: 11F30L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STS11NF30L Datasheet (PDF)
sts11nf30l.pdf
STS11NF30LN-channel 30V - 0.0085 - 11A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS11NF30L 30V
sts11nf3ll.pdf
STS11NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 - 11A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS11NF3LL 30 V
sts11n3llh5.pdf
STS11N3LLH5N-channel 30 V, 0.012 , 11 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS11N3LLH5 30 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: HY1707P | STS9P2UH7 | STS3402 | STS2DPFS20V
History: HY1707P | STS9P2UH7 | STS3402 | STS2DPFS20V
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c