Справочник MOSFET. STS11NF30L

 

STS11NF30L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS11NF30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS11NF30L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS11NF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  st
 sts11nf30l.pdf pdf_icon

STS11NF30L

STS11NF30LN-channel 30V - 0.0085 - 11A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS11NF30L 30V

 6.1. Size:271K  st
 sts11nf3ll.pdf pdf_icon

STS11NF30L

STS11NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 - 11A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS11NF3LL 30 V

 8.1. Size:727K  st
 sts11n3llh5.pdf pdf_icon

STS11NF30L

STS11N3LLH5N-channel 30 V, 0.012 , 11 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS11N3LLH5 30 V

Другие MOSFET... STQ1HNK60R , STQ1NK60ZR , STQ2HNK60ZR-AP , STQ2NK60ZR-AP , STQ3N45K3-AP , STS10DN3LH5 , STS10N3LH5 , STS11N3LLH5 , 18N50 , STS12N3LLH5 , STS12NF30L , STS13N3LLH5 , STS14N3LLH5 , STS19N3LLH6 , STS1DN45K3 , STS1DNC45 , STS1NK60Z .

History: SM1A08NSV | 2SK2327

 

 
Back to Top

 


 
.