STS13N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS13N3LLH5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de STS13N3LLH5 MOSFET
STS13N3LLH5 Datasheet (PDF)
sts13n3llh5.pdf
STS13N3LLH5N-channel 30 V, 0.006 , 13 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID5STS13N3LLH5 30 V
Otros transistores... STQ2NK60ZR-AP , STQ3N45K3-AP , STS10DN3LH5 , STS10N3LH5 , STS11N3LLH5 , STS11NF30L , STS12N3LLH5 , STS12NF30L , P0903BDG , STS14N3LLH5 , STS19N3LLH6 , STS1DN45K3 , STS1DNC45 , STS1NK60Z , STS20N3LLH6 , STS26N3LLH6 , STS2DNF30L .
History: NCEP0225K | 2N7222U | IPB120N04S4L-02 | 2N80G-TM3-R | 2N65G-TMS2-T | FDMT80040DC
History: NCEP0225K | 2N7222U | IPB120N04S4L-02 | 2N80G-TM3-R | 2N65G-TMS2-T | FDMT80040DC
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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