STS13N3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STS13N3LLH5
Маркировка: 13D3L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 14.5 ns
Выходная емкость (Cd): 295 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0066 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для STS13N3LLH5
STS13N3LLH5 Datasheet (PDF)
..1. Size:679K st
sts13n3llh5.pdf
sts13n3llh5.pdf
STS13N3LLH5N-channel 30 V, 0.006 , 13 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID5STS13N3LLH5 30 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
