Справочник MOSFET. STS13N3LLH5

 

STS13N3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS13N3LLH5
   Маркировка: 13D3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для STS13N3LLH5

 

 

STS13N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:679K  st
sts13n3llh5.pdf

STS13N3LLH5
STS13N3LLH5

STS13N3LLH5N-channel 30 V, 0.006 , 13 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID5STS13N3LLH5 30 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top