STS13N3LLH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS13N3LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS13N3LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS13N3LLH5 даташит

 ..1. Size:679K  st
 sts13n3llh5.pdf pdf_icon

STS13N3LLH5

STS13N3LLH5 N-channel 30 V, 0.006 , 13 A, SO-8 STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 5 STS13N3LLH5 30 V

Другие IGBT... STQ2NK60ZR-AP, STQ3N45K3-AP, STS10DN3LH5, STS10N3LH5, STS11N3LLH5, STS11NF30L, STS12N3LLH5, STS12NF30L, IRF1407, STS14N3LLH5, STS19N3LLH6, STS1DN45K3, STS1DNC45, STS1NK60Z, STS20N3LLH6, STS26N3LLH6, STS2DNF30L