STS19N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS19N3LLH6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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STS19N3LLH6 Datasheet (PDF)

..1. Size:857K st
sts19n3llh6.pdf

STS19N3LLH6N-channel 30 V, 0.0049 , 19 A, SO-8STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax5678STS19N3LLH6 30 V 0.0056 19 A RDS(on) * Qg industry benchmark432 Extremely low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggednessSO-8 Low gate drive power losses Very low switching gate chargeApplications Switch

9.1. Size:106K auk
sts1979.pdf

STS1979SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription Medium power amplifierFeatures Large collector current : ICMax=-500mA Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage Complementary pair with STS5342Ordering InformationType NO. Marking Package CodeSTS1979 STS1979 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.5

9.2. Size:227K auk
sts1980.pdf

STS1980Semiconductor Semiconductor PNP Silicon TransistorDescription General small signal amplifier Features Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.3V(Max.) Low output capacitance : Cob=4pF(Typ.) Complementary pair with STS5343 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS1980 STS1980 TO-92 Outline Dimensions unit : mm 3.450

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: