STS19N3LLH6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS19N3LLH6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: SO8

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STS19N3LLH6 datasheet

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STS19N3LLH6

STS19N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0049 , 19 A, SO-8 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 5 6 7 8 STS19N3LLH6 30 V 0.0056 19 A RDS(on) * Qg industry benchmark 4 3 2 Extremely low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggedness SO-8 Low gate drive power losses Very low switching gate charge Applications Switch

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STS19N3LLH6

STS1979 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Description Medium power amplifier Features Large collector current ICMax=-500mA Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage Complementary pair with STS5342 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS1979 STS1979 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5

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STS19N3LLH6

STS1980 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Description General small signal amplifier Features Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.3V(Max.) Low output capacitance Cob=4pF(Typ.) Complementary pair with STS5343 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS1980 STS1980 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0

Otros transistores... STS10DN3LH5, STS10N3LH5, STS11N3LLH5, STS11NF30L, STS12N3LLH5, STS12NF30L, STS13N3LLH5, STS14N3LLH5, 10N65, STS1DN45K3, STS1DNC45, STS1NK60Z, STS20N3LLH6, STS26N3LLH6, STS2DNF30L, STS3N95K3, STS4DNF30L