STS1DNC45 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS1DNC45
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS1DNC45
STS1DNC45 Datasheet (PDF)
sts1dnc45.pdf
STS1DNC45DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1 - 0.4ASO-8SuperMESH POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS1DNC45 450 V
sts1dn45k3.pdf
STS1DN45K3Dual N-channel 450 V, 3.2 , 0.5 A SuperMESH3Power MOSFET in SO-8Preliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTS1DN45K3 450 V
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Liste
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