STS1DNC45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS1DNC45

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS1DNC45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS1DNC45 даташит

 ..1. Size:300K  st
 sts1dnc45.pdf pdf_icon

STS1DNC45

STS1DNC45 DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1 - 0.4ASO-8 SuperMESH POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS1DNC45 450 V

 8.1. Size:434K  st
 sts1dn45k3.pdf pdf_icon

STS1DNC45

Другие IGBT... STS11N3LLH5, STS11NF30L, STS12N3LLH5, STS12NF30L, STS13N3LLH5, STS14N3LLH5, STS19N3LLH6, STS1DN45K3, RFP50N06, STS1NK60Z, STS20N3LLH6, STS26N3LLH6, STS2DNF30L, STS3N95K3, STS4DNF30L, STS4DNF60L, STS4DNFS30L