STS1DNC45 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STS1DNC45
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 27.5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STS1DNC45 Datasheet (PDF)
..1. Size:300K st
sts1dnc45.pdf
sts1dnc45.pdf
STS1DNC45DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1 - 0.4ASO-8SuperMESH POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS1DNC45 450 V
8.1. Size:434K st
sts1dn45k3.pdf
sts1dn45k3.pdf
STS1DN45K3Dual N-channel 450 V, 3.2 , 0.5 A SuperMESH3Power MOSFET in SO-8Preliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTS1DN45K3 450 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FQB5N50C | HY4903B6 | FQB12N50TMAM002 | FQAF15N70 | STS1DN45K3 | FQB50N06L
History: FQB5N50C | HY4903B6 | FQB12N50TMAM002 | FQAF15N70 | STS1DN45K3 | FQB50N06L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772