STS1NK60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS1NK60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.6 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de STS1NK60Z MOSFET
STS1NK60Z Datasheet (PDF)
sts1nk60z.pdf
STS1NK60ZN-CHANNEL 600V - 13 - 0.25A- SO-8Zener-Protected SuperMESH Power MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTS1NK60Z 600 V
sts1nc60.pdf
STS1NC60N-CHANNEL 600V - 12 - 0.3A - SO-8PowerMESHII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS1NC60 600 V
Otros transistores... STS11NF30L , STS12N3LLH5 , STS12NF30L , STS13N3LLH5 , STS14N3LLH5 , STS19N3LLH6 , STS1DN45K3 , STS1DNC45 , IRFZ46N , STS20N3LLH6 , STS26N3LLH6 , STS2DNF30L , STS3N95K3 , STS4DNF30L , STS4DNF60L , STS4DNFS30L , STS4DPF20L .
History: CS3N70U
History: CS3N70U
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