STS1NK60Z MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STS1NK60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS1NK60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: SO8

Búsqueda de reemplazo de STS1NK60Z MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:303K st
sts1nk60z.pdf pdf_icon

STS1NK60Z N-CHANNEL 600V - 13 - 0.25A- SO-8 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STS1NK60Z 600 V

9.1. Size:272K st
sts1nc60.pdf pdf_icon

STS1NC60 N-CHANNEL 600V - 12 - 0.3A - SO-8 PowerMESH II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS1NC60 600 V