STS1NK60Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STS1NK60Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
Тип корпуса: SO8
STS1NK60Z Datasheet (PDF)
..1. Size:303K st
sts1nk60z.pdf
sts1nk60z.pdf
STS1NK60ZN-CHANNEL 600V - 13 - 0.25A- SO-8Zener-Protected SuperMESH Power MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTS1NK60Z 600 V
9.1. Size:272K st
sts1nc60.pdf
sts1nc60.pdf
STS1NC60N-CHANNEL 600V - 12 - 0.3A - SO-8PowerMESHII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS1NC60 600 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STP80PF55
History: STP80PF55
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918