Справочник MOSFET. STS1NK60Z

 

STS1NK60Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS1NK60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS1NK60Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS1NK60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  st
sts1nk60z.pdfpdf_icon

STS1NK60Z

STS1NK60ZN-CHANNEL 600V - 13 - 0.25A- SO-8Zener-Protected SuperMESH Power MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTS1NK60Z 600 V

 9.1. Size:272K  st
sts1nc60.pdfpdf_icon

STS1NK60Z

STS1NC60N-CHANNEL 600V - 12 - 0.3A - SO-8PowerMESHII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS1NC60 600 V

Другие MOSFET... STS11NF30L , STS12N3LLH5 , STS12NF30L , STS13N3LLH5 , STS14N3LLH5 , STS19N3LLH6 , STS1DN45K3 , STS1DNC45 , IRFZ46N , STS20N3LLH6 , STS26N3LLH6 , STS2DNF30L , STS3N95K3 , STS4DNF30L , STS4DNF60L , STS4DNFS30L , STS4DPF20L .

 

 
Back to Top

 


 
.