STS1NK60Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS1NK60Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS1NK60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS1NK60Z даташит

 ..1. Size:303K  st
 sts1nk60z.pdf pdf_icon

STS1NK60Z

STS1NK60Z N-CHANNEL 600V - 13 - 0.25A- SO-8 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STS1NK60Z 600 V

 9.1. Size:272K  st
 sts1nc60.pdf pdf_icon

STS1NK60Z

STS1NC60 N-CHANNEL 600V - 12 - 0.3A - SO-8 PowerMESH II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS1NC60 600 V

Другие IGBT... STS11NF30L, STS12N3LLH5, STS12NF30L, STS13N3LLH5, STS14N3LLH5, STS19N3LLH6, STS1DN45K3, STS1DNC45, SI2302, STS20N3LLH6, STS26N3LLH6, STS2DNF30L, STS3N95K3, STS4DNF30L, STS4DNF60L, STS4DNFS30L, STS4DPF20L