STS1NK60Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: STS1NK60Z
   Маркировка: S1NK60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам