STS4DPF30L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS4DPF30L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SO8

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STS4DPF30L datasheet

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STS4DPF30L

STS4DPF30L DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPF30L 30 V

 ..2. Size:926K  cn vbsemi
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STS4DPF30L

STS4DPF30L www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top V

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STS4DPF30L

STS4DPFS20L P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID 20 V

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STS4DPF30L

STS4DPF20L DUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPF20L 20 V

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