Справочник MOSFET. STS4DPF30L

 

STS4DPF30L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS4DPF30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4DPF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  st
 sts4dpf30l.pdf pdf_icon

STS4DPF30L

STS4DPF30LDUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 - 4A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS4DPF30L 30 V

 ..2. Size:926K  cn vbsemi
 sts4dpf30l.pdf pdf_icon

STS4DPF30L

STS4DPF30Lwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top V

 7.1. Size:259K  st
 sts4dpfs20l.pdf pdf_icon

STS4DPF30L

STS4DPFS20LP-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID20 V

 7.2. Size:252K  st
 sts4dpf20l.pdf pdf_icon

STS4DPF30L

STS4DPF20LDUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS4DPF20L 20 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STS400 | AP4604P | HY4008M | HY5012W | FQB10N20C | STS3400 | HY4008PM

 

 
Back to Top

 


 
.