STS4DPF30L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS4DPF30L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS4DPF30L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4DPF30L даташит

 ..1. Size:108K  st
 sts4dpf30l.pdf pdf_icon

STS4DPF30L

STS4DPF30L DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPF30L 30 V

 ..2. Size:926K  cn vbsemi
 sts4dpf30l.pdf pdf_icon

STS4DPF30L

STS4DPF30L www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top V

 7.1. Size:259K  st
 sts4dpfs20l.pdf pdf_icon

STS4DPF30L

STS4DPFS20L P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID 20 V

 7.2. Size:252K  st
 sts4dpf20l.pdf pdf_icon

STS4DPF30L

STS4DPF20L DUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPF20L 20 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STS20N3LLH6, STS26N3LLH6, STS2DNF30L, STS3N95K3, STS4DNF30L, STS4DNF60L, STS4DNFS30L, STS4DPF20L, 8N60, STS4NF100, STS5DNF20V, STS5DNF60L, STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, STS5PF30L, STS6NF20V