STS4NF100 Todos los transistores

 

STS4NF100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS4NF100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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STS4NF100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  st
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STS4NF100

STS4NF100N-channel 100V - 0.065 - 4A SO-8STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS4NF100 100V

 ..2. Size:842K  cn vbsemi
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STS4NF100

STS4NF100www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses100 23 nC0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO

Otros transistores... STS26N3LLH6 , STS2DNF30L , STS3N95K3 , STS4DNF30L , STS4DNF60L , STS4DNFS30L , STS4DPF20L , STS4DPF30L , AO3401 , STS5DNF20V , STS5DNF60L , STS5N15F3 , STS5N15F4 , STS5NF60L , STS5PF30L , STS6NF20V , STS7NF60L .

History: APM2701ACC-TRG | SGSP362 | 2SK1215 | AP9575GM

 

 
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