STS4NF100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS4NF100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SO8

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STS4NF100 datasheet

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STS4NF100

STS4NF100 N-channel 100V - 0.065 - 4A SO-8 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS4NF100 100V

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STS4NF100

STS4NF100 www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses 100 23 nC 0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D APPLICATIONS SO

Otros transistores... STS26N3LLH6, STS2DNF30L, STS3N95K3, STS4DNF30L, STS4DNF60L, STS4DNFS30L, STS4DPF20L, STS4DPF30L, P60NF06, STS5DNF20V, STS5DNF60L, STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, STS5PF30L, STS6NF20V, STS7NF60L