STS4NF100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS4NF100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS4NF100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4NF100 даташит

 ..1. Size:305K  st
 sts4nf100.pdf pdf_icon

STS4NF100

STS4NF100 N-channel 100V - 0.065 - 4A SO-8 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS4NF100 100V

 ..2. Size:842K  cn vbsemi
 sts4nf100.pdf pdf_icon

STS4NF100

STS4NF100 www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses 100 23 nC 0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D APPLICATIONS SO

Другие IGBT... STS26N3LLH6, STS2DNF30L, STS3N95K3, STS4DNF30L, STS4DNF60L, STS4DNFS30L, STS4DPF20L, STS4DPF30L, P60NF06, STS5DNF20V, STS5DNF60L, STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, STS5PF30L, STS6NF20V, STS7NF60L