Справочник MOSFET. STS4NF100

 

STS4NF100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS4NF100
   Маркировка: S4NF100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4NF100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  st
 sts4nf100.pdf pdf_icon

STS4NF100

STS4NF100N-channel 100V - 0.065 - 4A SO-8STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS4NF100 100V

 ..2. Size:842K  cn vbsemi
 sts4nf100.pdf pdf_icon

STS4NF100

STS4NF100www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses100 23 nC0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.