Справочник MOSFET. STS4NF100

 

STS4NF100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS4NF100
   Маркировка: S4NF100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
   Время нарастания (tr): 45 ns
   Выходная емкость (Cd): 125 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для STS4NF100

 

 

STS4NF100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  st
 sts4nf100.pdf

STS4NF100 STS4NF100

STS4NF100N-channel 100V - 0.065 - 4A SO-8STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS4NF100 100V

 ..2. Size:842K  cn vbsemi
 sts4nf100.pdf

STS4NF100 STS4NF100

STS4NF100www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses100 23 nC0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top