STS6NF20V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS6NF20V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SO8

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STS6NF20V datasheet

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STS6NF20V

STS6NF20V N-channel 20 V, 0.030 , 6 A SO-8 2.7 V drive STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID

 9.1. Size:90K  samhop
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STS6NF20V

Gr P Pr P P STS6N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 1.05 @ VGS=10V Surface Mount Package. 0.8A 60V 1.30 @ VGS=4.5V D SOT23 D G S G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAX

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