STS6NF20V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS6NF20V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS6NF20V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6NF20V даташит

 ..1. Size:530K  st
 sts6nf20v.pdf pdf_icon

STS6NF20V

STS6NF20V N-channel 20 V, 0.030 , 6 A SO-8 2.7 V drive STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID

 9.1. Size:90K  samhop
 sts6n20.pdf pdf_icon

STS6NF20V

Gr P Pr P P STS6N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 1.05 @ VGS=10V Surface Mount Package. 0.8A 60V 1.30 @ VGS=4.5V D SOT23 D G S G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAX

Другие IGBT... STS4DPF30L, STS4NF100, STS5DNF20V, STS5DNF60L, STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, STS5PF30L, IRFZ48N, STS7NF60L, STS7PF30L, STS8C5H30L, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, STS9NF30L, STS9NF3LL