STS6NF20V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STS6NF20V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для STS6NF20V
STS6NF20V Datasheet (PDF)
sts6nf20v.pdf

STS6NF20VN-channel 20 V, 0.030 , 6 A SO-82.7 V drive STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID
sts6n20.pdf

GrPPrPPSTS6N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.1.05 @ VGS=10VSurface Mount Package.0.8A60V1.30 @ VGS=4.5VDSOT23DGSGS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... STS4DPF30L , STS4NF100 , STS5DNF20V , STS5DNF60L , STS5N15F3 , STS5N15F4 , STS5NF60L , STS5PF30L , RU7088R , STS7NF60L , STS7PF30L , STS8C5H30L , STS8DN3LLH5 , STS8DNF3LL , STS9D8NH3LL , STS9NF30L , STS9NF3LL .
History: IXFN50N80Q2 | PSMN3R8-30LL | MTM55N10 | CS1N60B3R | AONR66406 | HM4N90I | 4N100G-TA3-T
History: IXFN50N80Q2 | PSMN3R8-30LL | MTM55N10 | CS1N60B3R | AONR66406 | HM4N90I | 4N100G-TA3-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent