STS8C5H30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS8C5H30L
   Código: S8C5H30L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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STS8C5H30L Datasheet (PDF)

..1. Size:463K st
sts8c5h30l.pdf

STS8C5H30LN-channel 30 V, 0.018 , 8 A, P-channel 30 V, 0.045 , 5 A SO-8low gate charge STripFET III MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS8C5H30L(N-channel) 30 V

9.1. Size:1258K st
sts8c6h3ll.pdf

STS8C6H3LLN-channel 30 V, 0.019 typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 ASTripFET Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code Channel VDS RDS(on) max IDN 0.021 8 ASTS8C6H3LL 30 VP 0.030 5 A4 STripFETV N-channel Power MOSFET1 STripFETVI DeepGATE P-channel Power MOSFETSO-8 RDS(on)* Qg industry benc

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Liste

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