STS8C5H30L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS8C5H30L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SO8

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STS8C5H30L datasheet

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STS8C5H30L

STS8C5H30L N-channel 30 V, 0.018 , 8 A, P-channel 30 V, 0.045 , 5 A SO-8 low gate charge STripFET III MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS8C5H30L(N-channel) 30 V

 9.1. Size:1258K  st
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STS8C5H30L

STS8C6H3LL N-channel 30 V, 0.019 typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A STripFET Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - preliminary data Features Order code Channel VDS RDS(on) max ID N 0.021 8 A STS8C6H3LL 30 V P 0.030 5 A 4 STripFET V N-channel Power MOSFET 1 STripFET VI DeepGATE P-channel Power MOSFET SO-8 RDS(on)* Qg industry benc

Otros transistores... STS5DNF60L, STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, STS5PF30L, STS6NF20V, STS7NF60L, STS7PF30L, IRLB3034, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, STS9NF30L, STS9NF3LL, STT3PF20V, STU10NM60N, STU11NM60ND