Справочник MOSFET. STS8C5H30L

 

STS8C5H30L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS8C5H30L
   Маркировка: S8C5H30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для STS8C5H30L

 

 

STS8C5H30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  st
 sts8c5h30l.pdf

STS8C5H30L STS8C5H30L

STS8C5H30LN-channel 30 V, 0.018 , 8 A, P-channel 30 V, 0.045 , 5 A SO-8low gate charge STripFET III MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS8C5H30L(N-channel) 30 V

 9.1. Size:1258K  st
 sts8c6h3ll.pdf

STS8C5H30L STS8C5H30L

STS8C6H3LLN-channel 30 V, 0.019 typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 ASTripFET Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code Channel VDS RDS(on) max IDN 0.021 8 ASTS8C6H3LL 30 VP 0.030 5 A4 STripFETV N-channel Power MOSFET1 STripFETVI DeepGATE P-channel Power MOSFETSO-8 RDS(on)* Qg industry benc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top