STS8C5H30L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS8C5H30L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS8C5H30L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS8C5H30L даташит

 ..1. Size:463K  st
 sts8c5h30l.pdf pdf_icon

STS8C5H30L

STS8C5H30L N-channel 30 V, 0.018 , 8 A, P-channel 30 V, 0.045 , 5 A SO-8 low gate charge STripFET III MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS8C5H30L(N-channel) 30 V

 9.1. Size:1258K  st
 sts8c6h3ll.pdf pdf_icon

STS8C5H30L

STS8C6H3LL N-channel 30 V, 0.019 typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A STripFET Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - preliminary data Features Order code Channel VDS RDS(on) max ID N 0.021 8 A STS8C6H3LL 30 V P 0.030 5 A 4 STripFET V N-channel Power MOSFET 1 STripFET VI DeepGATE P-channel Power MOSFET SO-8 RDS(on)* Qg industry benc

Другие IGBT... STS5DNF60L, STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, STS5PF30L, STS6NF20V, STS7NF60L, STS7PF30L, IRLB3034, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, STS9NF30L, STS9NF3LL, STT3PF20V, STU10NM60N, STU11NM60ND