Справочник MOSFET. STS8C5H30L

 

STS8C5H30L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS8C5H30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS8C5H30L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS8C5H30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  st
 sts8c5h30l.pdf pdf_icon

STS8C5H30L

STS8C5H30LN-channel 30 V, 0.018 , 8 A, P-channel 30 V, 0.045 , 5 A SO-8low gate charge STripFET III MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS8C5H30L(N-channel) 30 V

 9.1. Size:1258K  st
 sts8c6h3ll.pdf pdf_icon

STS8C5H30L

STS8C6H3LLN-channel 30 V, 0.019 typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 ASTripFET Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code Channel VDS RDS(on) max IDN 0.021 8 ASTS8C6H3LL 30 VP 0.030 5 A4 STripFETV N-channel Power MOSFET1 STripFETVI DeepGATE P-channel Power MOSFETSO-8 RDS(on)* Qg industry benc

Другие MOSFET... STS5DNF60L , STS5N15F3 , STS5N15F4 , STS5NF60L , STS5PF30L , STS6NF20V , STS7NF60L , STS7PF30L , 60N06 , STS8DN3LLH5 , STS8DNF3LL , STS9D8NH3LL , STS9NF30L , STS9NF3LL , STT3PF20V , STU10NM60N , STU11NM60ND .

History: 2SK3492 | SIL3724

 

 
Back to Top

 


 
.