STS8DN3LLH5 Todos los transistores

 

STS8DN3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS8DN3LLH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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STS8DN3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  st
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STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 0.0155 , 10 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS8DN3LLH5 30 V

 8.1. Size:326K  st
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STS8DN3LLH5

STS8DNH3LLDual n-channel 30 V - 0.018 - 8 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTS8DNH3LL 30 V

 8.2. Size:314K  st
 sts8dnf3ll.pdf pdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DNF3LLDual N-channel 30V - 0.017 - 8A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS8DNF3LL 30V

 8.3. Size:706K  st
 sts8dn6lf6ag.pdf pdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DN6LF6AG Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTS8DN6LF6AG 60 V 24 m 8 A 3.2 W AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Logic l

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History: AP10N4R5S | CSFR3N60LP

 

 
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