STS8DN3LLH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS8DN3LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS8DN3LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS8DN3LLH5 даташит

 ..1. Size:772K  st
 sts8dn3llh5.pdf pdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5 Dual N-channel 30 V, 0.0155 , 10 A, SO-8 STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS8DN3LLH5 30 V

 8.1. Size:326K  st
 sts8dnh3ll.pdf pdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DNH3LL Dual n-channel 30 V - 0.018 - 8 A - SO-8 low gate charge STripFET III Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STS8DNH3LL 30 V

 8.2. Size:314K  st
 sts8dnf3ll.pdf pdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DNF3LL Dual N-channel 30V - 0.017 - 8A SO-8 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS8DNF3LL 30V

 8.3. Size:706K  st
 sts8dn6lf6ag.pdf pdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DN6LF6AG Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STS8DN6LF6AG 60 V 24 m 8 A 3.2 W AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Logic l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, STS5PF30L, STS6NF20V, STS7NF60L, STS7PF30L, STS8C5H30L, IRF9640, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, STS9NF30L, STS9NF3LL, STT3PF20V, STU10NM60N, STU11NM60ND, STU12N65M5