Справочник MOSFET. STS8DN3LLH5

 

STS8DN3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS8DN3LLH5
   Маркировка: 8DN3LL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для STS8DN3LLH5

 

 

STS8DN3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  st
 sts8dn3llh5.pdf

STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 0.0155 , 10 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS8DN3LLH5 30 V

 8.1. Size:326K  st
 sts8dnh3ll.pdf

STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5

STS8DNH3LLDual n-channel 30 V - 0.018 - 8 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTS8DNH3LL 30 V

 8.2. Size:314K  st
 sts8dnf3ll.pdf

STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5

STS8DNF3LLDual N-channel 30V - 0.017 - 8A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS8DNF3LL 30V

 8.3. Size:706K  st
 sts8dn6lf6ag.pdf

STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5

STS8DN6LF6AG Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTS8DN6LF6AG 60 V 24 m 8 A 3.2 W AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Logic l

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top