Справочник MOSFET. STS8DN3LLH5

 

STS8DN3LLH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS8DN3LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS8DN3LLH5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS8DN3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  st
sts8dn3llh5.pdfpdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 0.0155 , 10 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS8DN3LLH5 30 V

 8.1. Size:326K  st
sts8dnh3ll.pdfpdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DNH3LLDual n-channel 30 V - 0.018 - 8 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTS8DNH3LL 30 V

 8.2. Size:314K  st
sts8dnf3ll.pdfpdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DNF3LLDual N-channel 30V - 0.017 - 8A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS8DNF3LL 30V

 8.3. Size:706K  st
sts8dn6lf6ag.pdfpdf_icon

STS8DN3LLH5

STS8DN6LF6AG Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTS8DN6LF6AG 60 V 24 m 8 A 3.2 W AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Logic l

Другие MOSFET... STS5N15F3 , STS5N15F4 , STS5NF60L , STS5PF30L , STS6NF20V , STS7NF60L , STS7PF30L , STS8C5H30L , AON7403 , STS8DNF3LL , STS9D8NH3LL , STS9NF30L , STS9NF3LL , STT3PF20V , STU10NM60N , STU11NM60ND , STU12N65M5 .

History: BSZ011NE2LS5I | SSM04N70BGF-H

 

 
Back to Top

 


 
.