STS9D8NH3LL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS9D8NH3LL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de STS9D8NH3LL MOSFET
STS9D8NH3LL Datasheet (PDF)
sts9d8nh3ll.pdf
STS9D8NH3LLDual N-channel 30 V - 0.012 - 9 A - SO-8low on-resistance STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) Qg IDQ1 30V
Otros transistores... STS5NF60L , STS5PF30L , STS6NF20V , STS7NF60L , STS7PF30L , STS8C5H30L , STS8DN3LLH5 , STS8DNF3LL , EMB04N03H , STS9NF30L , STS9NF3LL , STT3PF20V , STU10NM60N , STU11NM60ND , STU12N65M5 , STU150N3LLH6 , STU16N65M5 .
History: CS12N65A8R | IRF321 | SI1307DL | STW28N60DM2 | WMB119N12LG4 | 60N06-14 | WMB120P06TS
History: CS12N65A8R | IRF321 | SI1307DL | STW28N60DM2 | WMB119N12LG4 | 60N06-14 | WMB120P06TS
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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