STS9D8NH3LL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS9D8NH3LL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SO8

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STS9D8NH3LL datasheet

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STS9D8NH3LL

STS9D8NH3LL Dual N-channel 30 V - 0.012 - 9 A - SO-8 low on-resistance STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) Qg ID Q1 30V

Otros transistores... STS5NF60L, STS5PF30L, STS6NF20V, STS7NF60L, STS7PF30L, STS8C5H30L, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, AON7403, STS9NF30L, STS9NF3LL, STT3PF20V, STU10NM60N, STU11NM60ND, STU12N65M5, STU150N3LLH6, STU16N65M5