STS9D8NH3LL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS9D8NH3LL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de STS9D8NH3LL MOSFET
STS9D8NH3LL Datasheet (PDF)
sts9d8nh3ll.pdf
STS9D8NH3LLDual N-channel 30 V - 0.012 - 9 A - SO-8low on-resistance STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) Qg IDQ1 30V
Otros transistores... STS5NF60L , STS5PF30L , STS6NF20V , STS7NF60L , STS7PF30L , STS8C5H30L , STS8DN3LLH5 , STS8DNF3LL , AON7403 , STS9NF30L , STS9NF3LL , STT3PF20V , STU10NM60N , STU11NM60ND , STU12N65M5 , STU150N3LLH6 , STU16N65M5 .
History: AON5810 | 2SK3592-01S | WMB31430DN | DMG6402LDM | PPMDP100V10 | WMB46N03T1 | WMB50P03TS
History: AON5810 | 2SK3592-01S | WMB31430DN | DMG6402LDM | PPMDP100V10 | WMB46N03T1 | WMB50P03TS
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786