STS9D8NH3LL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS9D8NH3LL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS9D8NH3LL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS9D8NH3LL даташит

 ..1. Size:426K  st
 sts9d8nh3ll.pdf pdf_icon

STS9D8NH3LL

STS9D8NH3LL Dual N-channel 30 V - 0.012 - 9 A - SO-8 low on-resistance STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) Qg ID Q1 30V

Другие IGBT... STS5NF60L, STS5PF30L, STS6NF20V, STS7NF60L, STS7PF30L, STS8C5H30L, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, AON7403, STS9NF30L, STS9NF3LL, STT3PF20V, STU10NM60N, STU11NM60ND, STU12N65M5, STU150N3LLH6, STU16N65M5