STS9D8NH3LL - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STS9D8NH3LL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STS9D8NH3LL
   Маркировка: 9D8H3LL-
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 147 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS9D8NH3LL