STT3PF20V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT3PF20V
   Código: STP2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT236L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STT3PF20V

STT3PF20V Datasheet (PDF)

..1. Size:332K st
stt3pf20v.pdf

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8.1. Size:181K st
stt3pf30l.pdf

STT3PF30LP-CHANNEL 30V - 0.14 - 3A SOT23-6LSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTT3PF30L 30 V

9.1. Size:543K st
stt3p2uh7.pdf

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Liste

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