STT3PF20V Todos los transistores

 

STT3PF20V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT3PF20V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT236L
 

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STT3PF20V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  st
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STT3PF20V

STT3PF20VP-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.2A SOT23-6L2.7-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTT3PF20V TYPICAL RDS(on) = 0.14 (@4.5V) TYPICAL RDS(on) = 0.20 (@2.7V) ULTRA LOW THRESHOLD GATE DRIVE (2.7V) STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLYSOT23-6LDESCRIPTIONThis Power MOSFET is the latest development ofSTMicroelectronis unique "Single

 8.1. Size:181K  st
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STT3PF20V

STT3PF30LP-CHANNEL 30V - 0.14 - 3A SOT23-6LSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTT3PF30L 30 V

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STT3PF20V

STT3P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 3 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description SOT23-6LThis P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate structu

Otros transistores... STS7NF60L , STS7PF30L , STS8C5H30L , STS8DN3LLH5 , STS8DNF3LL , STS9D8NH3LL , STS9NF30L , STS9NF3LL , MMD60R360PRH , STU10NM60N , STU11NM60ND , STU12N65M5 , STU150N3LLH6 , STU16N65M5 , STU27N3LH5 , STU2N62K3 , STU2NK100Z .

History: DMN95H8D5HCT | TDM3415 | AP9591GS | NVF6P02 | VMO580-02F | TSM20N50CI | PMN30XPE

 

 
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