STT3PF20V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT3PF20V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: SOT236L

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STT3PF20V datasheet

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STT3PF20V

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 8.1. Size:181K  st
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STT3PF20V

STT3PF30L P-CHANNEL 30V - 0.14 - 3A SOT23-6L STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STT3PF30L 30 V

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STT3PF20V

STT3P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 3 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description SOT23-6L This P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate structu

Otros transistores... STS7NF60L, STS7PF30L, STS8C5H30L, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, STS9NF30L, STS9NF3LL, RU7088R, STU10NM60N, STU11NM60ND, STU12N65M5, STU150N3LLH6, STU16N65M5, STU27N3LH5, STU2N62K3, STU2NK100Z