STT3PF20V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STT3PF20V
Маркировка: STP2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: SOT236L
STT3PF20V Datasheet (PDF)
stt3pf20v.pdf
STT3PF20VP-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.2A SOT23-6L2.7-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTT3PF20V TYPICAL RDS(on) = 0.14 (@4.5V) TYPICAL RDS(on) = 0.20 (@2.7V) ULTRA LOW THRESHOLD GATE DRIVE (2.7V) STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLYSOT23-6LDESCRIPTIONThis Power MOSFET is the latest development ofSTMicroelectronis unique "Single
stt3pf30l.pdf
STT3PF30LP-CHANNEL 30V - 0.14 - 3A SOT23-6LSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTT3PF30L 30 V
stt3p2uh7.pdf
STT3P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 3 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description SOT23-6LThis P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate structu
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F