STT3PF20V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT3PF20V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT236L

Аналог (замена) для STT3PF20V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT3PF20V даташит

 ..1. Size:332K  st
 stt3pf20v.pdf pdf_icon

STT3PF20V

STT3PF20V P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.2A SOT23-6L 2.7-DRIVE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STT3PF20V TYPICAL RDS(on) = 0.14 (@4.5V) TYPICAL RDS(on) = 0.20 (@2.7V) ULTRA LOW THRESHOLD GATE DRIVE (2.7V) STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY SOT23-6L DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single

 8.1. Size:181K  st
 stt3pf30l.pdf pdf_icon

STT3PF20V

STT3PF30L P-CHANNEL 30V - 0.14 - 3A SOT23-6L STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STT3PF30L 30 V

 9.1. Size:543K  st
 stt3p2uh7.pdf pdf_icon

STT3PF20V

STT3P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 3 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description SOT23-6L This P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate structu

Другие IGBT... STS7NF60L, STS7PF30L, STS8C5H30L, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, STS9NF30L, STS9NF3LL, RU7088R, STU10NM60N, STU11NM60ND, STU12N65M5, STU150N3LLH6, STU16N65M5, STU27N3LH5, STU2N62K3, STU2NK100Z