STV250N55F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STV250N55F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERSO10
Búsqueda de reemplazo de STV250N55F3 MOSFET
STV250N55F3 Datasheet (PDF)
stv250n55f3.pdf
STV250N55F3N-channel 55 V, 1.5 m, 250 A, PowerSO-10STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID max10STV250N55F3 55 V
Otros transistores... STU85N3LH5 , STU8N65M5 , STU8NM50N , STU8NM60ND , STU90N4F3 , STU95N2LH5 , STU95N3LLH6 , STV240N75F3 , AON7408 , STV270N4F3 , STV300NH02L , STW10NK60Z , STW10NK80Z , STW11NK100Z , STW11NK90Z , STW11NM80 , STW120NF10 .
History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D
History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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