STV250N55F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STV250N55F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: POWERSO10

Аналог (замена) для STV250N55F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STV250N55F3 даташит

 ..1. Size:527K  st
 stv250n55f3.pdf pdf_icon

STV250N55F3

STV250N55F3 N-channel 55 V, 1.5 m , 250 A, PowerSO-10 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 10 STV250N55F3 55 V

Другие IGBT... STU85N3LH5, STU8N65M5, STU8NM50N, STU8NM60ND, STU90N4F3, STU95N2LH5, STU95N3LLH6, STV240N75F3, IRFP250N, STV270N4F3, STV300NH02L, STW10NK60Z, STW10NK80Z, STW11NK100Z, STW11NK90Z, STW11NM80, STW120NF10