Справочник MOSFET. STV250N55F3

 

STV250N55F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STV250N55F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: POWERSO10

 Аналог (замена) для STV250N55F3

 

 

STV250N55F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  st
stv250n55f3.pdf

STV250N55F3
STV250N55F3

STV250N55F3N-channel 55 V, 1.5 m, 250 A, PowerSO-10STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID max10STV250N55F3 55 V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top