STV250N55F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STV250N55F3
Маркировка: 250N55F3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 250 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 150 ns
Выходная емкость (Cd): 1450 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0022 Ohm
Тип корпуса: POWERSO10
Аналог (замена) для STV250N55F3
STV250N55F3 Datasheet (PDF)
..1. Size:527K st
stv250n55f3.pdf
stv250n55f3.pdf
STV250N55F3N-channel 55 V, 1.5 m, 250 A, PowerSO-10STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID max10STV250N55F3 55 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
