STV300NH02L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STV300NH02L
   Código: 300NH02L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 109 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 275 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3251 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERSO10

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STV300NH02L Datasheet (PDF)

..1. Size:423K st
stv300nh02l.pdf

STV300NH02LN-channel 24V - 0.8m - 280A - PowerSO-10STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTV300NH02L 24V 0.001 280A10 RDS(on)*Qg industrys benchmark1 Conduction losses reduced PowerSO-10 Low profile, very low parasitic inductance Switching losses reducedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Switching applications

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: