STV300NH02L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STV300NH02L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 275 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3251 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: POWERSO10

Аналог (замена) для STV300NH02L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STV300NH02L даташит

 ..1. Size:423K  st
 stv300nh02l.pdf pdf_icon

STV300NH02L

STV300NH02L N-channel 24V - 0.8m - 280A - PowerSO-10 STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STV300NH02L 24V 0.001 280A 10 RDS(on)*Qg industry s benchmark 1 Conduction losses reduced PowerSO-10 Low profile, very low parasitic inductance Switching losses reduced Applications Figure 1. Internal schematic diagram Switching applications

Другие IGBT... STU8NM50N, STU8NM60ND, STU90N4F3, STU95N2LH5, STU95N3LLH6, STV240N75F3, STV250N55F3, STV270N4F3, IRF9540, STW10NK60Z, STW10NK80Z, STW11NK100Z, STW11NK90Z, STW11NM80, STW120NF10, STW12N120K5, STW12NK60Z