STV300NH02L - аналоги и даташиты транзистора

 

STV300NH02L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STV300NH02L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 275 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3251 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: POWERSO10
 

 Аналог (замена) для STV300NH02L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STV300NH02L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  st
 stv300nh02l.pdf pdf_icon

STV300NH02L

STV300NH02LN-channel 24V - 0.8m - 280A - PowerSO-10STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTV300NH02L 24V 0.001 280A10 RDS(on)*Qg industrys benchmark1 Conduction losses reduced PowerSO-10 Low profile, very low parasitic inductance Switching losses reducedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Switching applications

Другие MOSFET... STU8NM50N , STU8NM60ND , STU90N4F3 , STU95N2LH5 , STU95N3LLH6 , STV240N75F3 , STV250N55F3 , STV270N4F3 , K3569 , STW10NK60Z , STW10NK80Z , STW11NK100Z , STW11NK90Z , STW11NM80 , STW120NF10 , STW12N120K5 , STW12NK60Z .

History: IRF6708S2 | NCEAP028N85D | ST18N10D | 2SK3674-01S | AP3N1R8P | HGI098N10AL | RJK0822SPN

 

 
Back to Top

 


 
.