Справочник MOSFET. STV300NH02L

 

STV300NH02L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STV300NH02L
   Маркировка: 300NH02L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 109 nC
   trⓘ - Время нарастания: 275 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3251 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: POWERSO10

 Аналог (замена) для STV300NH02L

 

 

STV300NH02L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  st
 stv300nh02l.pdf

STV300NH02L STV300NH02L

STV300NH02LN-channel 24V - 0.8m - 280A - PowerSO-10STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTV300NH02L 24V 0.001 280A10 RDS(on)*Qg industrys benchmark1 Conduction losses reduced PowerSO-10 Low profile, very low parasitic inductance Switching losses reducedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Switching applications

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top