STW11NK100Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW11NK100Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.38 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW11NK100Z datasheet

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STW11NK100Z

STW11NK100Z STW11NK100Z N-channel 1000V - 1.1 - 8.3A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH PowerMOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID Pw (@Tjmax) STW11NK100Z 1000 V

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STW11NK100Z

STW11NK90Z N-channel 900V - 0.82 - 9.2A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STW11NK90Z 900V

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STW11NK100Z

STW11NB80 N-CHANNEL 800V - 0.65 - 11A - T0-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW11NB80 800 V

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STW11NK100Z

STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 1 3 STB11NM80 2 D PAK 1 STF11NM80 TO-247 800 V

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