STW11NK100Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW11NK100Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.38 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW11NK100Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW11NK100Z даташит

 ..1. Size:315K  st
 stw11nk100z.pdf pdf_icon

STW11NK100Z

STW11NK100Z STW11NK100Z N-channel 1000V - 1.1 - 8.3A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH PowerMOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID Pw (@Tjmax) STW11NK100Z 1000 V

 7.1. Size:241K  st
 stw11nk90z.pdf pdf_icon

STW11NK100Z

STW11NK90Z N-channel 900V - 0.82 - 9.2A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STW11NK90Z 900V

 8.1. Size:191K  st
 stw11nb80.pdf pdf_icon

STW11NK100Z

STW11NB80 N-CHANNEL 800V - 0.65 - 11A - T0-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW11NB80 800 V

 8.2. Size:943K  st
 stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdf pdf_icon

STW11NK100Z

STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 1 3 STB11NM80 2 D PAK 1 STF11NM80 TO-247 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STU95N2LH5, STU95N3LLH6, STV240N75F3, STV250N55F3, STV270N4F3, STV300NH02L, STW10NK60Z, STW10NK80Z, STP75NF75, STW11NK90Z, STW11NM80, STW120NF10, STW12N120K5, STW12NK60Z, STW12NK80Z, STW12NK90Z, STW12NK95Z