STW11NM80 Todos los transistores

 

STW11NM80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW11NM80
   Código: W11NM80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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STW11NM80 Datasheet (PDF)

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STW11NM80
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STB11NM80, STF11NM80STP11NM80, STW11NM80N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg IDmax313STB11NM802DPAK1STF11NM80TO-247800 V

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STW11NM80
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STB11NM80, STF11NM80STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFETin DPAK, TO-220FP, IPAK, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Order codes VDSS RDS(on)*Qg IDmax3312STB11NM801DPAKTO-220FPSTF11NM80STI11NM80 800 V

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STW11NM80
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STB11NM65N - STF11NM65NSTI11NM65N-STP11NM65N-STW11NM65NN-channel 650V - 0.33 - 12A - TO-220/FP- D2/I2PAK - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) Max32312STI11NM65N 710 V

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STW11NM80
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STW11NB80N-CHANNEL 800V - 0.65 - 11A - T0-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW11NB80 800 V

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STW11NM80
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STW11NK90ZN-channel 900V - 0.82 - 9.2A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTW11NK90Z 900V

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STW11NM80
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STW11NK100ZSTW11NK100ZN-channel 1000V - 1.1 - 8.3A - TO-247Zener - Protected SuperMESH PowerMOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID Pw(@Tjmax)STW11NK100Z 1000 V

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