STW11NM80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW11NM80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW11NM80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW11NM80 даташит

 ..1. Size:943K  st
stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdfpdf_icon

STW11NM80

STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 1 3 STB11NM80 2 D PAK 1 STF11NM80 TO-247 800 V

 ..2. Size:904K  st
stb11nm80 stf11nm80 sti11nm80 stp11nm80 stw11nm80.pdfpdf_icon

STW11NM80

STB11NM80, STF11NM80 STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, I PAK, TO-220, TO-247 Features RDS(on) Order codes VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 3 1 2 STB11NM80 1 D PAK TO-220FP STF11NM80 STI11NM80 800 V

 7.1. Size:539K  st
stb11nm65n stf11nm65n stp11nm65n stw11nm65n.pdfpdf_icon

STW11NM80

STB11NM65N - STF11NM65N STI11NM65N-STP11NM65N-STW11NM65N N-channel 650V - 0.33 - 12A - TO-220/FP- D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) Max 3 2 3 1 2 STI11NM65N 710 V

 8.1. Size:191K  st
stw11nb80.pdfpdf_icon

STW11NM80

STW11NB80 N-CHANNEL 800V - 0.65 - 11A - T0-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW11NB80 800 V

Другие IGBT... STV240N75F3, STV250N55F3, STV270N4F3, STV300NH02L, STW10NK60Z, STW10NK80Z, STW11NK100Z, STW11NK90Z, IRF9540N, STW120NF10, STW12N120K5, STW12NK60Z, STW12NK80Z, STW12NK90Z, STW12NK95Z, STW13N95K3, STW13NK100Z