STW20NM50FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW20NM50FD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW20NM50FD
STW20NM50FD Datasheet (PDF)
stw20nm50fd.pdf
STW20NM50FDN-CHANNEL 500V - 0.22 - 20A TO-247FDmesh Power MOSFET (with FAST DIODE)TYPE VDSS RDS(on) IDSTW20NM50FD 500V
stw20nm50fd.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW20NM50FDFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
stw20nm50.pdf
STW20NM50N-CHANNEL 550V @ Tjmax - 0.20 - 20ATO-247MDmesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID(@Tjmax)STW20NM50 550V
stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf
STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V
stf20nm60d stp20nm60fd stw20nm60fd.pdf
STF20NM60D - STP20NM60FDSTW20NM60FDN-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTF20NM60D 600V
stw20nm65n.pdf
STW20NM65N-STI20NM65N-STF20NM65NSTB20NM65N-STP20NM65NN-channel 650V - 0.16 - 19A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) Max ID(@TJmax)323121STB20NM65N 710V
stw20nm60.pdf
STW20NM60N-CHANNEL 600V - 0.26 - 20A TO-247MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW20NM60 600V
stb20nm60-1 stp20nm60fp stb20nm60 stp20nm60 stw20nm60.pdf
STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V
stw20nm60fd.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW20NM60FDFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
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Liste
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