STW20NM50FD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW20NM50FD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW20NM50FD
STW20NM50FD Datasheet (PDF)
stw20nm50fd.pdf
STW20NM50FDN-CHANNEL 500V - 0.22 - 20A TO-247FDmesh Power MOSFET (with FAST DIODE)TYPE VDSS RDS(on) IDSTW20NM50FD 500V
stw20nm50fd.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW20NM50FDFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
stw20nm50.pdf
STW20NM50N-CHANNEL 550V @ Tjmax - 0.20 - 20ATO-247MDmesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID(@Tjmax)STW20NM50 550V
stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf
STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V
stf20nm60d stp20nm60fd stw20nm60fd.pdf
STF20NM60D - STP20NM60FDSTW20NM60FDN-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTF20NM60D 600V
stw20nm65n.pdf
STW20NM65N-STI20NM65N-STF20NM65NSTB20NM65N-STP20NM65NN-channel 650V - 0.16 - 19A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) Max ID(@TJmax)323121STB20NM65N 710V
stw20nm60.pdf
STW20NM60N-CHANNEL 600V - 0.26 - 20A TO-247MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW20NM60 600V
stb20nm60-1 stp20nm60fp stb20nm60 stp20nm60 stw20nm60.pdf
STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V
stw20nm60fd.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW20NM60FDFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F