STW27NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW27NM60ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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STW27NM60ND Datasheet (PDF)

..1. Size:519K st
stb27nm60nd stw27nm60nd.pdf

STB27NM60ND, STW27NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max IDSTB27NM60NDTAB650 V 0.16 21 ASTW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 321AEC-Q101 qualified1D2PAK The worldwide best RDS

..2. Size:443K st
stw27nm60nd.pdf

STW27NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)Preliminary DataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX maxSTW27NM60ND 650 V

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: