STW27NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW27NM60ND
Código: 27NM60ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 160 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW27NM60ND
STW27NM60ND Datasheet (PDF)
stb27nm60nd stw27nm60nd.pdf
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STB27NM60ND, STW27NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max IDSTB27NM60NDTAB650 V 0.16 21 ASTW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 321AEC-Q101 qualified1D2PAK The worldwide best RDS
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STW27NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)Preliminary DataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX maxSTW27NM60ND 650 V
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