STW27NM60ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW27NM60ND

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW27NM60ND datasheet

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STW27NM60ND

STB27NM60ND, STW27NM60ND Automotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max ID STB27NM60ND TAB 650 V 0.16 21 A STW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 3 2 1 AEC-Q101 qualified 1 D2PAK The worldwide best RDS

 ..2. Size:443K  st
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STW27NM60ND

STW27NM60ND N-channel 600 V, 0.13 , 21 A TO-247 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) Preliminary Data Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJMAX max STW27NM60ND 650 V

Otros transistores... STW23NM60ND, STW24NK55Z, STW24NM60N, STW24NM65N, STW25N95K3, STW25NM60ND, STW26NM50, STW26NM60N, 8N60, STW28NM50N, STW30N65M5, STW30NF20, STW30NM50N, STW32N55M5, STW32N65M5, STW34NB20, STW34NM60N