Справочник MOSFET. STW27NM60ND

 

STW27NM60ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW27NM60ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW27NM60ND

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW27NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  st
 stb27nm60nd stw27nm60nd.pdf pdf_icon

STW27NM60ND

STB27NM60ND, STW27NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max IDSTB27NM60NDTAB650 V 0.16 21 ASTW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 321AEC-Q101 qualified1D2PAK The worldwide best RDS

 ..2. Size:443K  st
 stw27nm60nd.pdf pdf_icon

STW27NM60ND

STW27NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)Preliminary DataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX maxSTW27NM60ND 650 V

Другие MOSFET... STW23NM60ND , STW24NK55Z , STW24NM60N , STW24NM65N , STW25N95K3 , STW25NM60ND , STW26NM50 , STW26NM60N , K2611 , STW28NM50N , STW30N65M5 , STW30NF20 , STW30NM50N , STW32N55M5 , STW32N65M5 , STW34NB20 , STW34NM60N .

History: STQ1NK60ZR-AP | STW265N6F6AG

 

 
Back to Top

 


 
.