Справочник MOSFET. STW27NM60ND

 

STW27NM60ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW27NM60ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STW27NM60ND

 

 

STW27NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  st
 stb27nm60nd stw27nm60nd.pdf

STW27NM60ND STW27NM60ND

STB27NM60ND, STW27NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max IDSTB27NM60NDTAB650 V 0.16 21 ASTW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 321AEC-Q101 qualified1D2PAK The worldwide best RDS

 ..2. Size:443K  st
 stw27nm60nd.pdf

STW27NM60ND STW27NM60ND

STW27NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)Preliminary DataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX maxSTW27NM60ND 650 V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top