STW27NM60ND - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STW27NM60ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW27NM60ND
STW27NM60ND Datasheet (PDF)
stb27nm60nd stw27nm60nd.pdf

STB27NM60ND, STW27NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max IDSTB27NM60NDTAB650 V 0.16 21 ASTW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 321AEC-Q101 qualified1D2PAK The worldwide best RDS
stw27nm60nd.pdf

STW27NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)Preliminary DataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX maxSTW27NM60ND 650 V
Другие MOSFET... STW23NM60ND , STW24NK55Z , STW24NM60N , STW24NM65N , STW25N95K3 , STW25NM60ND , STW26NM50 , STW26NM60N , IRFB31N20D , STW28NM50N , STW30N65M5 , STW30NF20 , STW30NM50N , STW32N55M5 , STW32N65M5 , STW34NB20 , STW34NM60N .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972