STW4N150 Todos los transistores

 

STW4N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW4N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW4N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  st
 stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf pdf_icon

STW4N150

STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 stw4n150.pdf pdf_icon

STW4N150

isc N-Channel MOSFET Transistor STW4N150FEATURESDrain Current I 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingSwitching regulator, DC-DC convert

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History: WMB31430DN | 2SJ421 | DMN3730UFB4 | AP70L02GP | STW42N65M5 | WMB175N10HG4 | OSG60R580DTF

 

 
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