Справочник MOSFET. STW4N150

 

STW4N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW4N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW4N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  st
 stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf pdf_icon

STW4N150

STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 stw4n150.pdf pdf_icon

STW4N150

isc N-Channel MOSFET Transistor STW4N150FEATURESDrain Current I 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingSwitching regulator, DC-DC convert

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPA60R950C6 | AO6804A | SSF2145CH6 | AON6938 | WMJ38N60C2 | SSR3055A | TPC8113

 

 
Back to Top

 


 
.