STW4N150 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW4N150
Маркировка: W4N150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 7 Ohm
Тип корпуса: TO247
STW4N150 Datasheet (PDF)
stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf
STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V
stw4n150.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STW4N150FEATURESDrain Current I 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingSwitching regulator, DC-DC convert
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
