Справочник MOSFET. STW4N150

 

STW4N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW4N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW4N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW4N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  st
 stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf pdf_icon

STW4N150

STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 stw4n150.pdf pdf_icon

STW4N150

isc N-Channel MOSFET Transistor STW4N150FEATURESDrain Current I 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingSwitching regulator, DC-DC convert

Другие MOSFET... STW43NM60N , STW43NM60ND , STW45NM50 , STW45NM50FD , STW45NM60 , STW45NM60D , STW47NM60ND , STW48NM60N , IRFP064N , STW52NK25Z , STW54NM65ND , STW55NM60ND , STW56NM60N , STW58NM60N , STW5NK100Z , STW60N65M5 , STW62NM60N .

 

 
Back to Top

 


 
.