STW54NM65ND Todos los transistores

 

STW54NM65ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW54NM65ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW54NM65ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  st
 stw54nm65nd.pdf pdf_icon

STW54NM65ND

STW54NM65NDN-channel 650 V, 0.055 , 49 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Order code ID(@Tjmax) max.STW54NM65ND 710 V

 8.1. Size:289K  st
 stw54nk30z.pdf pdf_icon

STW54NM65ND

STW54NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.052 - 54A TO-247Zener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE BVDSS RDS(on) ID PwSTW54NK30Z 300 V

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History: PSMN3R3-40MLH | 2SK3666-3-TB-E | 2SK3916-01 | 2SK3646-01S | 13N50L-TF3-T | GSM3414A | 2SK1345

 

 
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