STW54NM65ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW54NM65ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Encapsulados: TO247
Búsqueda de reemplazo de STW54NM65ND MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
STW54NM65ND datasheet
stw54nm65nd.pdf
STW54NM65ND N-channel 650 V, 0.055 , 49 A TO-247 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Features VDSS RDS(on) Order code ID (@Tjmax) max. STW54NM65ND 710 V
stw54nk30z.pdf
STW54NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.052 - 54A TO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE BVDSS RDS(on) ID Pw STW54NK30Z 300 V
Otros transistores... STW45NM50 , STW45NM50FD , STW45NM60 , STW45NM60D , STW47NM60ND , STW48NM60N , STW4N150 , STW52NK25Z , IRFZ44N , STW55NM60ND , STW56NM60N , STW58NM60N , STW5NK100Z , STW60N65M5 , STW62NM60N , STW6N120K3 , STW6N95K5 .
History: JCS10N60BT | HCFL80R380 | SUD20N10-66L
History: JCS10N60BT | HCFL80R380 | SUD20N10-66L
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124
