STW54NM65ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW54NM65ND
Código: 54NM65ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 350 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 49 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 188 nC
Tiempo de subida (tr): 59 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 218 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW54NM65ND
STW54NM65ND Datasheet (PDF)
stw54nm65nd.pdf
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STW54NM65NDN-channel 650 V, 0.055 , 49 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Order code ID(@Tjmax) max.STW54NM65ND 710 V
stw54nk30z.pdf
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STW54NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.052 - 54A TO-247Zener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE BVDSS RDS(on) ID PwSTW54NK30Z 300 V
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